Главная   Добавить в избранное Полупроводниковый преобразователь | доклад


Рефераты, дипломные работы, курсовые работы, доклады, сочинения, шпаргалки, изложения, топики, бестселлеры - скачать бесплатно Рефераты, дипломные работы, курсовые работы, доклады, шпаргалки и т.п - у Нас можно скачать бесплатно.
 Поиск: 
Категории работ:
Рефераты
Дипломные работы
Курсовые работы
Шпаргалки
Доклады
Сочинения
Изложения
Топики
Бестселлеры
Авторские материалы
Отчеты

 

 


Полупроводниковый преобразователь - доклад


Категория: доклад
Рубрика: Наука и техника
Размер файла: 8 Kb
Количество загрузок:
2
Количество просмотров:
278
Описание работы: доклад на тему Полупроводниковый преобразователь
Смотреть
Скачать


Полупроводниковый преобразователь тепловой энергии окружающей среды в энергию постоянного электрического тока.

Преобразователь представляет собой следующую принципиальную схему (см. рис. 1).

Рис.1. Принципиальная схема преобразователя.

где: П – кристалл полупроводника (кремний n-типа);

р-n – переход с контактным электрическим полем Ек;

М1 – металлический контакт с р-областью (алюминий);

М2 - металлический контакт с n-областью (алюминий);

d – глубина залегания р-n перехода (не более 10 мКм);

RH – сопротивление нагрузки внешней цепи.

Принцип работы преобразователя заключается в следующем.

Например, работа выхода электрона из полупроводника n-типа составляет 4,25 эВ, р-типа – 5,25 эВ, из алюминия – 4,25 эВ. Поэтому, контакт М2 с полупроводником n-типа является оммическим и не влияет на работу преобразователя, а контакт М1 с полупроводником р-типа является инжектирующим.

Под действием сил теплового движения и в результате различия работ выхода, электроны из металлического контакта М1 будут инжектироваться в р-область полупроводника. Часть электронов рекомбинирует с дырками р-области кристалла, а остальная часть электронов будет перебрасываться электрическим полем р-n перехода Ек в n-область кристалла. При этом n-область полупроводникового кристалла и контакт М2 будут заряжаться отрицательно, а контакт М1, из-за ухода из него электронов, - положительно, что в итоге приведет к возникновению разности электрических потенциалов между контактами М1 и М2.

Поток электронов из М1 в М2 будет иметь место до тех пор, пока возрастающее электрическое поле между контактами не вызовет встречный поток электронов из n-области в р-область кристалла из-за снижения потенциального барьера р-n перехода. Когда эти токи электронов сравняются, в изолированном кристалле установится электрическое и термодинамическое равновесие. При этом между контактами М1 и М2 установится разность потенциалов равная половине контактной разности потенциалов p-n перехода (в данном случае – 0,55В), что означает наличие между ними Э.Д.С. (холостого хода).

Если замкнуть контакты М1 и М2 внешним металлическим проводником с сопротивлением RH, то электрическое и термодинамическое равновесие полупроводникового кристалла нарушится и в цепи нагрузки потечет электрический ток I RH. При этом p-n переход будет охлаждаться, т. к. энергия электронов переходящих из р-области в n-область полупроводника будет увеличина за счет внутренней (тепловой) энергии кристаллической решетки полупроводника. Для поддержания в цепи нагрузки постоянного по величине тока к нему необходимо подводить теплоту от окружающей среды – Qo.c.

Автор Зерний Анатолий Николаевич






 




 
Показывать только:

Портфель:
Выбранных работ  

На данный момент в нашей базе:
Рефераты: 60160
Дипломные работы: 626
Курсовые работы: 2381
Шпаргалки: 1034
Доклады: 12078
Сочинения: 5238
Изложения: 1016
Топики: 1546
Бестселлеры: 9
Авторские материалы: 6802
Отчеты: 1

Всего работ: 90891

Рубрики по алфавиту:
АБВГДЕЖЗ
ИЙКЛМНОП
РСТУФХЦЧ
ШЩЪЫЬЭЮЯ

 

 

Ключевые слова страницы: Полупроводниковый преобразователь | доклад

НеСтудент © 2022 - Все для студентов, студенческие работы, студенческий портал.